ナノマテリアルと分子ナノテクノロジーのジャーナル

Si基板上にパターン形成されたエッチングマスク上のSnコーティングされた多層カーボンナノチューブの界面に形成されたナノインターコネクトの形態学的特性評価

Mohanty US、Lin CI、Lin KL 

スズ被覆多層カーボンナノチューブ (SnO2/MWCNT) 複合材料は、第一段階で CNT 懸濁液内で SnCl2 を沈殿させることによって合成されました。AZ 1500 をフォトレジストとして使用し、Si ウェハー上にパターン化されたエッチングマスク上に Sn 被覆多層カーボンナノチューブ (MWCNT) を均一に分散させるために、トリフルオロ酢酸 (TFA) を使用した効率的な分散技術が採用されました。MWCNT 懸濁液はパターン化された Si ウェハー上に均一に分散され、ナノ相互接続またはナノジョイントの形成が高解像度透過型電子分光法 (HRTEM) によって明確に確立されました。高解像度透過型電子顕微鏡 (HRTEM) 画像により、2 つの MWCNT 間に形成されたナノ相互接続が正方晶 Sn と斜方晶 SnO2 相の両方で構成されていることが示されました。リフロー雰囲気下での SnO2/MWCNT の還元により、2 つの多層カーボンナノチューブの界面で元素 Sn が観察されました。カーボンナノチューブのグラフェン層と金属 Sn/酸化物との界面相互作用も調査されました。ラマン分光法の研究により、MWCNT と金属 Sn との界面相互作用が確立されました。結果から、MWCNT と Sn の強い相互作用により、MWCNT の ID/IG 比が低下することが明らかになりました。多層カーボンナノチューブは、パターン化されたマスク上で互いに良好に接続されていることがわかり、この現象は、電子回路におけるカーボンナノチューブの導電性に新たな光を当てる可能性があります。